消息稱蘋果iPhone 16系列拉貨在即 已調(diào)高A18芯片訂單規(guī)模
蘋果iPhone 16系列拉貨在即，全系列產(chǎn)品有望搭載臺積電第二代3nm制程N3E。供應(yīng)鏈透露，蘋果已調(diào)高A18芯片訂單規(guī)模。分析師稱，英偉達(dá)雖已接受臺積電2025年4nm晶圓漲價約一成，但蘋果明年3nm晶圓價格維持不變，主因雙方于埃米級芯片持續(xù)合作，臺積給予價格之優(yōu)惠，其他客戶晶圓定價可能會在第三季末確定。(臺灣工商時報)
華潤微：二季度針對部分MOSFET、IGBT產(chǎn)品有價格調(diào)漲動作
6月28日，華潤微在接待調(diào)研時表示，公司二季度針對部分MOSFET、IGBT產(chǎn)品有價格調(diào)漲動作。公司認(rèn)為產(chǎn)品價格基本觸底，年內(nèi)有望逐步修復(fù)。（科創(chuàng)板日報）
機構(gòu)：預(yù)估第三季NAND Flash產(chǎn)品合約價漲幅收斂至5-10%
TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，第三季除了企業(yè)端持續(xù)投資服務(wù)器建設(shè)，尤其Enterprise SSD受惠AI擴大采用，繼續(xù)受到訂單推動，消費性電子需求持續(xù)不振，加上原廠下半年增產(chǎn)幅度趨于積極，第三季NAND Flash 供過于求比例(Sufficiency Ratio)上升至2.3%，NAND Flash均價(Blended Price)漲幅收斂至季增5-10%。（TrendForce）
機構(gòu)：服務(wù)器需求復(fù)蘇 預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達(dá)8-13%
TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達(dá)8-13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預(yù)計智能手機及服務(wù)器將帶動第三季存儲器出貨量放大。（TrendForce）
消息稱三星 DRAM 及 NAND 計劃 Q3 漲價 15-20%
由于人工智能（AI）需求激增，存儲半導(dǎo)體方面競爭進(jìn)一步加劇，預(yù)計三星電子下半年業(yè)績將有所改善。據(jù)韓國《每日經(jīng)濟新聞》，三星電子近期已向包括戴爾科技、慧與 HPE 在內(nèi)的主要客戶通報了漲價計劃，準(zhǔn)備在第三季度將其主要存儲半導(dǎo)體、服務(wù)器 DRAM 和企業(yè)級 NAND 閃存報價提高 15-20%，而三星 Q2 已將其企業(yè)級 NAND 閃存漲價 20% 以上。（IT之家）
本周大事件
1、工信部：1-5月智能手機產(chǎn)量同比增長12% 集成電路產(chǎn)量同比增長32.7%
2、機構(gòu)：5月中國五大新興科技產(chǎn)業(yè)投資金額達(dá)3679億元
3、臺積電2025年資本支出有望達(dá)320億美元至360億美元
4、華潤微：二季度針對部分MOSFET、IGBT產(chǎn)品有價格調(diào)漲動作
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